Efecto del voltaje Bias D.C. en las propiedades electroquímicas de películas delgadas de AlN obtenidas por medio de la técnica magnetrón sputtering R.F
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Yate, Luis | 2009
Se depositaron películas delgadas de nitruro de aluminio, AlN, por el método de magnetrón sputtering r.f. reactivo usando un blanco de aluminio (99.9 %), sobre sustratos de silicio [100] y acero Rus-3, para investigar la influencia del voltaje de polarización bias d.c. sobre las películas obtenidas. Los análisis de EDS mostraron que las diferentes películas presentaron composiciones de Al y N entre 89% y 85% y 10% y 14%, respectivamente. Por medio de análisis de FTIR, se encontró la presencia de modos activos alrededor de 680 cm-1 asociados a la fase wurtzita del AlN, y alrededor de 600, 950 y 980 cm-1 asociados a estructuras amorfas de Al-N y óxidos en las películas. Las propiedades electroquímicas de los recubrimientos
crecidos a diferentes voltajes bias fueron comparadas con el sustrato de acero RUS-3, mediante la espectroscopia de impedancia electroquímica (EIS) y con curvas de polarización Tafel. La velocidad de corrosión de las muestras depositadas a 0V y -80V (9.5 y 27.9 mpy, respectivamente) fueron menores que la del acero sin recubrir (33.1 mpy), mostrando el efecto
protector de la capa de AlN depositada.
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